金属基板芯片的蚀刻工艺主要涉及在金属基板上形成精确的图案，这对于制造各种电子器件，如功率LED、功率半导体等，是非常关键的。金属基板通常使用的是铝或铜，因为这些材料具有良好的热导性和电导性。蚀刻过程可以分为湿法蚀刻和干法蚀刻两种主要类型，下面分别介绍：

　　湿法蚀刻（Wet Etching）

　　湿法蚀刻是一种化学蚀刻过程，涉及到将金属基板浸入或喷洒含有腐蚀性化学物质的溶液中，以去除特定区域的金属，形成所需的图案。

　　步骤：

　　清洁：首先清洁金属基板，去除表面的油污和氧化层。

　　涂覆光刻胶：在金属基板上涂覆一层光刻胶，并进行预烘烤。

　　曝光和显影：通过掩模将图案曝光到光刻胶上，然后将基板浸入显影剂中，去除曝光区域的光刻胶，留下裸露的金属。

　　蚀刻：将基板浸入蚀刻液中，蚀刻掉裸露的金属区域。

　　去除光刻胶：蚀刻完成后，去除剩余的光刻胶，留下所需的金属图案。

　　清洗和干燥：最后清洗基板并干燥。

　　干法蚀刻（Dry Etching）

　　干法蚀刻，特别是反应离子蚀刻（Reactive Ion Etching, RIE），是一种物理和化学相结合的蚀刻过程，使用等离子体产生的反应性离子来去除金属材料，形成精细的图案。

　　步骤：

　　清洁：与湿法蚀刻相同，首先要清洁金属基板。

　　涂覆光刻胶并曝光显影：同样需要涂覆光刻胶，通过掩模曝光并显影，形成保护图案。

　　加载到蚀刻室：将处理好的基板放入蚀刻机的真空室内。

　　等离子体蚀刻：在真空室内引入特定的气体，如SF6、Cl2等，通过射频（RF）功率激发形成等离子体，等离子体中的离子和自由基与裸露的金属反应，去除金属形成图案。

　　去除光刻胶：蚀刻完成后，使用溶剂去除剩余的光刻胶。

　　清洗和干燥：清洗基板并干燥。

　　干法蚀刻相比湿法蚀刻可以提供更高的精度和图案定义，特别适用于复杂或微细图案的制造。然而，干法蚀刻的设备成本和运行成本通常高于湿法蚀刻。在选择蚀刻工艺时，需要根据具体的应用需求、成本预算和所需的图案精度来决定。