外延生长完成后的晶圆是制造芯片的起始材料。将这些晶圆加工成芯片是一个复杂的多步骤过程，涉及多种半导体制造技术。以下是将外延生长后的晶圆制成芯片的基本步骤：

    1. 光刻（Photolithography）

    图案化：使用光刻技术在晶圆上形成特定图案。这涉及涂覆光刻胶、预曝光烘烤、曝光（通过掩模）、显影和后曝光烘烤。

    2. 蚀刻（Etching）

    移除材料：根据光刻形成的图案，通过湿法蚀刻或干法蚀刻（如反应离子蚀刻）去除晶圆表面的特定区域。

    3. 掺杂（Doping）

    改变电性：通过离子注入或扩散过程，将掺杂剂引入晶圆的特定区域，改变其电学特性。

    4. 化学气相沉积（CVD）

    沉积绝缘层：使用CVD技术在晶圆表面沉积绝缘层，如二氧化硅或氮化硅。

    5. 物理气相沉积（PVD）

    沉积金属层：使用PVD技术（如溅射）在晶圆上形成金属层，用于制造导电路径和电极。

    6. 平坦化（Planarization）

    表面平整：使用化学机械抛光（CMP）技术平整晶圆表面，以确保后续层的均匀性。

    7. 多层互连（Multilayer Interconnect）

    构建互连：重复光刻、蚀刻、CVD、PVD和CMP等步骤，构建多层互连结构。

    8. 测试和检验

    功能测试：对晶圆上的电路进行电学测试，确保其符合设计规范。

    视觉检查：检查晶圆以发现任何可见缺陷。

    9. 切割（Dicing）

    晶圆切割：将晶圆切割成单个芯片。

    10. 封装（Packaging）

    芯片封装：将切割好的芯片封装在保护壳中，形成最终的芯片产品。

    11. 最终测试

    性能验证：对封装后的芯片进行最终测试，确保其性能和可靠性。

    这个过程涉及精密的工程技术和高度控制的环境。每一步都对芯片的性能和最终应用至关重要。随着技术的发展，这些步骤可能会有所变化，以适应新的材料、设计和应用需求。