外延片(EPI)指的是在衬底上生长出的半导体薄膜，薄膜主要由P型，量子阱，N型三个部分构成。现在主流的外延材料是氮化镓(GaN)，衬底材料主要有蓝宝石。硅，碳化在三种，量子阱般为5个通常用的生产工艺为金属有机物气相外延(MOCVD)，这是LED产业的核心部分，需要较高的技术以及较大的资金投入。

    目前在硅衬底上可以做普通外延层，多层结构外延层，超高阻外延层，超厚外延层，外延层电阻率可达一千欧姆以上，导电类型为:P/P++, N/N++, N/N+, N/N+/N++, N/P/P, P/N/N+等多种类型。

    硅外延晶片是用于制造广泛的半导体器件的核心材料，在消费、工业、军事和空间电子学中都有应用。