晶圆加工和晶圆镀膜是半导体制造过程中的两个重要环节，它们在集成电路（IC）的生产中扮演着不同的角色。虽然这两个过程在某些情况下可能相互关联，但它们的目的、方法和应用有明显的区别。

　　晶圆加工

　　晶圆加工涉及多个步骤，用于在硅晶圆上形成微小的电子器件和电路。这个过程包括多种技术，如光刻、蚀刻、掺杂、化学机械抛光（CMP）等。晶圆加工的目的是在硅晶圆上构建复杂的电路结构，形成可以执行特定电子功能的集成电路。

　　光刻：使用光敏抗蚀剂和掩模（mask）在晶圆上形成特定图案。

　　蚀刻：去除光刻过程中未保护的材料，形成电路图案。

　　掺杂：引入杂质原子改变硅的电导性。

　　化学机械抛光：平整晶圆表面，为后续层的沉积做准备。

　　晶圆镀膜

　　晶圆镀膜是指在晶圆表面沉积一层或多层薄膜材料的过程。这些薄膜可以是导电的、绝缘的或半导体的，用于提供电气连接、保护、隔离或增强晶圆的电子特性。镀膜技术包括物理气相沉积（PVD）、化学气相沉积（CVD）、原子层沉积（ALD）等。

　　物理气相沉积（PVD）：通过物理方法（如蒸发或溅射）在晶圆表面沉积金属或其他材料。

　　化学气相沉积（CVD）：利用化学反应在晶圆表面沉积薄膜。

　　原子层沉积（ALD）：通过逐层沉积技术实现极高精度的薄膜控制。

　　区别总结

　　目的：晶圆加工旨在通过多步骤工艺在硅晶圆上构建和定义微型电路和器件，而晶圆镀膜主要是在晶圆表面沉积各种功能性薄膜。

　　过程：晶圆加工包括光刻、蚀刻、掺杂等多种步骤，是形成电路图案和器件结构的过程；晶圆镀膜则是通过PVD、CVD、ALD等技术在晶圆表面沉积薄膜。

　　应用：加工和镀膜过程共同完成集成电路的制造，每个过程都对提高晶圆的电子性能和可靠性至关重要。

　　晶圆加工和镀膜是半导体制造中互补的两个环节，它们通过不同的技术手段共同实现高性能集成电路的生产。