电路图实际上在晶圆上形成。晶圆是制造集成电路（IC）的基础，通常由纯净的单晶硅制成。电路图的形成是通过一系列精密的光刻、掩膜、蚀刻和掺杂等过程在晶圆表面逐层构建的。这些过程涉及到在晶圆表面添加和去除材料，以形成电子设备所需的微小结构和电路路径。

　　制造过程简述

　　光刻：使用掩膜（mask）和光刻机将电路图案投影到涂有光敏抗蚀剂（photoresist）的晶圆表面。光敏抗蚀剂在光照下发生化学变化，使得曝光区域的抗蚀剂性质改变。

　　显影：将晶圆浸入显影液中，去除曝光后变化的抗蚀剂，留下未曝光区域的抗蚀剂作为保护层，形成所需的图案。

　　蚀刻：使用化学或等离子体蚀刻技术去除抗蚀剂未覆盖的硅或其他材料，形成电路图案。

　　掺杂：通过扩散或离子注入的方式，将掺杂剂引入硅晶圆的特定区域，改变其电学性质，形成n型或p型半导体区域。

　　去除抗蚀剂：清除剩余的光敏抗蚀剂，为下一步工艺做准备。

　　重复上述步骤：根据集成电路的复杂度，这一系列步骤可能会重复多次，每次使用不同的掩膜图案，以构建多层电路结构。

　　薄膜的作用

　　在晶圆制造过程中，会使用到各种薄膜材料，包括绝缘薄膜（如二氧化硅SiO2、氮化硅Si3N4）、金属薄膜（如铝、铜）和半导体薄膜（如多晶硅）。这些薄膜通过物理气相沉积（PVD）、化学气相沉积（CVD）等技术在晶圆表面形成，用于构建电路的不同部分，如导线、栅极、绝缘层等。

　　总的来说，电路图是直接在晶圆上形成的，而薄膜技术在这一过程中用于添加或修改晶圆表面的材料，以实现复杂的电路功能。