公司新闻
- 20 2023-12
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什么是外延片?
- 20 2023-12
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LED外延片和芯片制造工艺流程介绍
- 20 2023-12
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不同衬底制备的氮化镓外延片有什么特点?
氮化镓(GaN)作为第三代宽禁带半导体核心材料之一,具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优良特性,是制作宽波谱、高功率、高效率光电子、电力电子和微电子的理想材料。...
- 20 2023-12
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LED外延片的介绍
- 25 2023-08
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IGBT液态环氧树脂封装材料的成分
- 25 2023-08
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IGBT液态环氧树脂封装材料的用途
- 25 2023-08
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蚀刻引线框架贴膜的用途
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